> реклама на сайте  > карта сайта

Инженеры AMD изобрели сверхбыстрый транзистор...

08:36, 4  апреля  2003
Компания AMD приоткрыла завесу над своей новой разработкой, которая, по ее мнению, должна стать настоящим прорывом в микроэлектронике. Речь идет о транзисторе нового типа, основанном на применении ряда новейших технологий, включая технологию полностью обедненного кремния на изоляторе (fully depleted silicon-on-isolator). Такой транзистор будет работать на 30% быстрее, чем современные полупроводники. Кроме того, AMD представит транзистор, выполненный на основе технологии растянутого кремния (strained silicon), который обгонит свои аналоги по производительности на 20-25%.
реклама

AMD заявляет, что применение транзисторов, созданных с использованием этих технологий, позволит повышать производительность чипов без увеличения количества транзисторов на одном кристалле. Это, в свою очередь, будет очень важно уже во второй половине нынешнего тысячелетия, когда дальнейший рост производительности за счет роста количества транзисторов станет экономически невыгодным. Обе свои разработки компания обещает детально представить в июле этого года на симпозиуме VLSI, который состоится 11 июня этого года в Киото. Будем надеяться, там AMD поведает нам, когда появятся и первые устройства с их применением.
  • Пресс-релиз

Читайте также

Комментарии

Загрузка комментариев...